高価な小面積サファイア基板の代わりに、金属箔上に GaN LED、さらには GaN/AlGaN HEMT トランジスターを R2R 成長させる？これは、堅牢で効率的な無機 LED 技術を大面積化する、画期的な技術になるかもしれません。マイクロLEDディスプレイでは、モノリシック集積化を意味し、ウェーハから基板への転写工程なしで製造されるモバイルサイズや大型ディスプレイにつながる可能性があります。
下図に示すように、iBeamマテリアル は、そのような技術を開発しています。まず、粗い金属箔を平坦化し、イオンビームを使って結晶粒が整列した厚さnmの層を形成する。この「テンプレート」が、例えばサファイアウェハーの代わりに成長基板として機能する。
この技術を使って、すでに機能性GaN LEDやGaN/AlGaN HEMTのデモが行われています（下図参照）。 2021年7月（の成果発表時）に テックブリック)のPLは、通常のLEDの70%までだった。しかし、標準的なアプローチは、何十年も何十年も蓄積されたノウハウと生産ノウハウの恩恵を受けているため、直接比較することはまだ公平ではありません。
現在、LEDはまだR2R方式で行われていないが、「テンプレート」は20インチ幅の基板でR2R製造が可能である。次の開発ステップでは、MOCVDによるGaN成長のR2Rを実証する予定です。テンプレートのR2R製造がボトルネックではなく、厚い（5um程度）GaN LEDの成長がボトルネックです
最後に ウラジミール・マティアス は、この技術によって生産コストを25分の1に低減できる可能性があると主張しています。以下に詳細なコスト分析を示し、このコストロードマップを実現するために必要な技術的マイルストーンを示す。
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@klauz kunze [This is automatically translated from English]
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