nanométrique sur n'importe quel substrat ?
Nano-Ops commercialise un processus automatisé basé sur les tranches de silicium et un système "fab-in-a-box" basé sur la technologie d'assemblage dirigé qui peut "imprimer" des caractéristiques jusqu'à 20 nm.
Dans la première étape, un motif est d'abord gravé sur une plaquette modèle. Cette opération est réalisée à l'aide de techniques classiques de photolithographie.
Ensuite, la plaquette modèle est "encrée" à l'aide d'un processus d'assemblage dirigé. Au cours de l'étape clé, la plaquette modèle est immergée dans une solution contenant le nanomatériau choisi, qui peut être, par exemple, un métal (Au, Ag, Cu, etc.) ou même un polymère organique. Sous l'application d'une tension, le processus d'assemblage dirigé assure l'encrage de la plaquette modèle, c'est-à-dire le dépôt des nanomatériaux sur les motifs gravés sur les plaquettes modèles.
La plaquette "encrée" est ensuite utilisée comme plaque d'impression. La machine automatisée prend la plaquette et l'amène en contact précis avec le substrat cible, qui peut être du PET. Sous pression, l'impression contractuelle a lieu, transférant l'encre de la plaquette encrée sur la substarte finale. Le processus est ensuite répété pour obtenir une impression à haut débit à partir de la tranche de silicium. La plaquette modèle est censée être réutilisée jusqu'à 100 fois ou plus.
Nano-Ops a montré que tous les types de matériaux peuvent être déposés en utilisant diverses techniques d'assemblage dirigé (électrophorétique et fludique). Les diapositives 1 et 2 ci-dessous montrent des exemples de différents matériaux et motifs déposés sur une plaquette à motifs (sur la plaquette modèle) en utilisant cette technique. La taille des éléments varie de quelques micromètres à 20 nanomètres.
Les diapositives 3 et 4 montrent un exemple de circuit imprimé en éventail. La structure en or a une taille de 12 um. Les épaisseurs sont généralement comprises entre 300 nm et 1 um, avec une conductivité de masse pouvant atteindre 50 % sur la tranche encrée. En effet, comme le montre la diapositive 4, les caractéristiques I-V des lignes de cuivre " imprimées " de 800 nm d'épaisseur sont comparables à celles des lignes de cuivre pulvérisées de 800 nm.
Il s'agit d'une technique unique et pleine de potentiel. Lorsque l'ensemble du processus (assemblage dirigé + alignement + transfert + cohérence sur plusieurs tirages) est optimisé pour un ensemble de matériaux et une structure de couches donnés dans une application donnée, il pourrait conduire à l'"impression" rapide de dispositifs complexes multi-joueurs et multi-matériaux à l'échelle nanométrique à des coûts bien inférieurs à ceux des fabriques de silicium standard et à des résolutions bien supérieures à celles des techniques d'impression standard.
Ahmed et al. présenteront cette technologie à Eindhoven les 12 et 13 octobre 2022 lors du salon TechBlick. Pour en savoir plus, cliquez ici. https://www.techblick.com/electronicsreshaped [This is automatically translated from English]
