microLEDs können direkt mit CMOS-Treibern integriert werden (anstelle der üblichen TFT-Backplane), was Displays mit hohem PPI ermöglicht, die für AR/MR-Brillen, Metaverse und in einigen Fällen sogar großflächige Displays geeignet sind. Die wichtigste technologische Herausforderung dabei ist die Hybridisierung und/oder monolithische Integration von GaN-Mikrolinsen und CMOS. Dies ist kein leichtes Unterfangen, da es sich um eine heterogene Hybridisierung oder Integration von zwei unterschiedlichen Materialsystemen handelt: GaN und Si.
Im Laufe der Jahre wurden von Unternehmen und Institutionen verschiedene Technologien zur Hybridisierung der beiden Komponenten vorgeschlagen. Sie reichen von Hybridisierungstechniken bis hin zur vollständigen monolithischen 3D-Integration. Diese Optionen, die in den letzten zehn Jahren von 2011 bis 2022 erforscht wurden, sind in der nachstehenden Folie dargestellt, die eine klare Kategorisierung der Techniken bietet, z. B. Hybridisierung vs. monolithische Integration, direktes vs. indirektes Bonding, align vs. non-aligned, usw.
In dieser Präsentation wird François Templier von CEA-Leti auf der TechBlick-Fachveranstaltung über Mikro-LEDs am 30. November bis 1. Dezember www.TechBlick.com/microLEDs einen Überblick über diese Techniken geben und die Herausforderungen bei ihrer Herstellung erläutern. Es werden einige Beispiele für Lösungen vorgestellt, wie die Mikroröhrchentechnologie und die jüngsten Ergebnisse des Hybridbondings.
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