印刷TFTは、複雑な多層構造であり、界面特性や膜質特性に高い感度を持つことから、その開発は困難な技術でした。こちら（2021年3月より）, パトリック・R・L・マレンファント R2RプリントTFTシートは、10m以上の印刷でも良好な移動度と低いVTバラツキを実現しています。
興味深いことに、SWCNTはプリンテッドTFTの半導体層として優れたソリューションであることが証明されている。SWCNTは、金属（70%）と半導体（30%）の混合チューブとして成長する。半導体のみを成長させる確実な方法はまだないため、この 2 つを分離する必要があります。そこで、共役ポリマーを用いて遠心分離を繰り返し、CNTの直径、カイラリティ、種類に応じた分散分離を行う方法が最適である。こうすることで、純度の高い半導体のみの単層カーボンナノチューブ（SWCNT）を得ることができる。なるほど。レイモア・インダストリーズ. は、すでにそのような材料を提供している。
しかし、分離された分散液は、まだ印刷可能なインクではない。R2R印刷可能なインクを調合するために、Patrickらは、疎水性のポリフルオレンポリマー（分離プロセスの一部としてチューブの周りに残っている）をより親水性のポリマーに置き換える配位子交換プロセスを推奨している。
以下のビデオで、Patrickは、TFTのR2R印刷が可能で、優れた結果を示しています：TFTの移動度は0.02-3cm2/V.s、オン/オフ比は1E4、しきい電圧変動は10mのR2R印刷で6-10%程度です！この技術は、TFTが技術的に可能であることを示しています。
この技術は、SC-SWCNTベースのR2RプリントTFTの技術的可能性を示しているが、この技術を生産/商業ソリューションに成熟させるには、まだ長い道のりがある
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カナダ国立研究会議 / Conseil national de recherches Canada [This is automatically translated from English]
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